DigiTimes ha stimato questa settimana che i chip di memoria flash per smartphone rimarranno molto richiesti per tutto il 2017 perché, secondo quanto riferito, le carenze di approvvigionamento sono "peggiori del previsto" poiché i produttori di chip stanno attualmente passando dalla vecchia NAND 2D alla nuova tecnologia 3D NAND.
Secondo un rapporto di venerdì sul quotidiano The Korea Herald, citando gli analisti di Mirae Asset Daewoo Securities, Toshiba potrebbe abbandonare la sua redditizia unità flash NAND e vendere la partecipazione a Western Digital, restringendo il gap tecnologico e di mercato con il suo rivale Samsung Electronics.
"Se lo spin-off viene confermato, le condizioni finanziarie dell'unità chip di Toshiba saranno migliorate", ha affermato Do Hyun-woo, analista presso Mirae Asset Daewoo Securities.
"Ciò consentirà all'azienda di garantire una maggiore capacità di sviluppo e ridurre così il divario tecnologico con Samsung."
Sembra che Toshiba abbia perso la leadership nella tecnologia 3D NAND a cui stanno attualmente passando i produttori rivali. L'azienda sta attualmente sfornando chip NAND 3D a 48 strati utilizzando la struttura a U e la tecnologia scalabile Bit-Cost. La produzione in serie di chip NAND 3D a 64 strati di Toshiba è prevista per la prima metà di quest'anno.
Se la società dovesse fondersi con Western Digital, le loro azioni combinate dovrebbero superare quella di Samsung, che attualmente domina il mercato dei flash NAND 3D ed è il primo player nel mercato globale dei flash NAND con una quota del 36,6 percento.
Toshiba e Western Digital hanno una quota stimata da DRAMeXchange del 19,8 percento e del 17,1 percento ciascuno. Western Digital, Micron Technology e SK Hynix completano l'elenco dei primi cinque fornitori globali di chip flash NAND.
Oltre a Western Digital, altre società come SK Hynix possono anche mostrare interesse per gli investimenti, Do previsto. Sito di riparazione iFixit ha trovato componenti flash NAND prodotti da Toshiba su iPhone 7 e iPhone 7 Plus.
I due smartphone utilizzano anche il flash NAND del fornitore Apple di lunga data SK Hynix. La memoria flash nelle versioni da 128 gigabyte dei telefoni è uno stack da 16 die di parti da 128 Gb con schermatura EMI, fabbricato con tecnologia di processo a 15 nanometri.
Immagine smontaggio iPhone 7 per gentile concessione di iFixit.
Fonte: The Korea Herald
