Il fornitore Apple SK Hynix ha presentato chip di memoria flash 3D NAND a 72 strati, 256 gigabit (Gb) basati su array di celle a tre livelli. Impilando 1,5 volte più celle rispetto alla precedente tecnologia a 48 strati dell'azienda, un singolo chip flash NAND da 256 Gb può rappresentare 32 gigabyte di spazio di archiviazione con una velocità operativa interna due volte maggiore e prestazioni di lettura / scrittura del venti percento più veloci rispetto a un chip NAND 3D a 48 strati.
Il fornitore produce chip NAND 3D da 256 Gb a 48 strati da novembre 2016. I loro precedenti chip NAND 3D da 128 Gb a 36 strati sono stati lanciati ad aprile 2016.
I suoi chip più recenti raggiungono circa il 30% in più di produttività produttiva impilando più celle e utilizzando le strutture di produzione di massa esistenti. SK Hynix li produrrà in volume nella seconda metà di quest'anno.
I chip flash NAND integrati nei modelli iPhone 7 e iPhone 7 Plus hanno una doppia provenienza da Toshiba e SK Hynix, con alcuni modelli di iPhone 7 con chip Toshiba BiCS NAND 3D a 48 strati mai visti prima su un prodotto commerciale.
Altri modelli di iPhone 7 utilizzano i chip flash di SK Hynix.
È stato scoperto che le prestazioni di archiviazione flash del modello iPhone 7 da 32 gigabyte sono più lente rispetto alla versione da 128 gigabyte, con i primi dati di lettura a 656 Mbps e il secondo a 856 Mbps. La differenza è più pronunciata quando si testano le prestazioni di scrittura: l'iPhone 7 da 32 GB per la scrittura di dati nei suoi chip flash a circa 42 Mbps, mentre la sua controparte da 128 GB è oltre otto volte più veloce, a 341 Mbps.
La differenza è attribuita alla tecnologia 3D BiCS NAND di Toshiba utilizzata nel modello iPhone 7 da 128 GB. BiCS, o Bit Cost Scaling, memorizza tre bit di dati per transistor e impila 48 layer NAND su un singolo die, offrendo prestazioni di lettura e scrittura accelerate rispetto alla memoria 2D.
I chip flash Toshiba e SK Hynix utilizzati per la famiglia iPhone 7 sono realizzati con tecnologia di processo a 15 nanometri. I modelli di iPhone 7 da 256 gigabyte utilizzano uno stack da otto die più sottile di die da 256 gigabit rispetto a uno stack da 16 die di parti flash NAND da 128 gigabit.
SK Hynix è tra gli offerenti della redditizia unità flash chip di Toshiba.
Fonte: DigiTimes
